用于电动汽车的宽带隙半导体。

碳化硅和氮化镓技术在过去几年中取得了巨大的发展，被证明是商业上可用的节能技术。虽然硅在高达 650 V 的较低电压下仍然具有竞争力，但SiC 和 GaN在较高电压下提供高效的高频和大电流操作。Si、SiC和GaN之间的大战场在 650 V 左右，所有设备都适用于 400 V 电动汽车总线电压。为了使 EV 能够更快地充电，汽车电力电子设计人员需要 GaN 和 SiC 器件以及能够满足 EV 效率和功率密度要求的新动力总成架构。为了在给定电池容量的情况下获得最大的充电续航里程，整个电源转换链必须达到可能的最大效率。电池必须具有非常高的能量存储密度。电动汽车的自主性直接反映了其动力总成系统的效率。

某OBC 应用系统应用工程师 确定了 OBC 设计的趋势，比较了半导体技术的品质因数，并介绍了新的表面贴装器件封装。综合解决方案带来不同拓扑结构的创新，提供更高的效率和功率密度，并实现将电动汽车集成到智能电网的双向性。其他主题包括 SiC 成本分析、热管理和 GaN 组件的单片集成、用于驱动和保护电源开关的高级解决方案以及无线电力传输。

深圳市晶光华电子有限公司 26年专注提供一站式晶振产品解决方案，产品主要有SMD石英晶振、  车规晶振 、  SMD振荡器等。晶光华始终坚持以品质为基石，品质符合国际IEC和美国ANSI标准。为了满足客户的高标准需求，我司积极整合供应链，真正服务每一位品质客户。