虽然有些人认为 GaN 仍然是一项相对较新的技术,但许多人无法质疑它是如何发展到领先地位的。又名氮化镓,GaN 是一项取代硅 LDMOS 的技术,它一直是高功率应用的首选材料。GaN是属于III-V族的直接带隙半导体技术。由于其更高的效率、卓越的高压可持续性、更低的功耗、更高的温度属性和功率处理特性,它越来越多地用于电力电子设备。
这些特性将 GaN 推向了 5G 射频的聚光灯下——尤其是在毫米波 5G 网络方面。而且,虽然我们都“听到”了 5G 的承诺,但今天,随着主要无线运营商向他们的客户推出 5G,我们中的许多人——更准确地说是大约 500 万——开始实现这些承诺。但我们还没有。差远了。目标是到 2025 年连接 28 亿用户。实现这一目标意味着改造整个移动基础设施——这是一项复杂的任务。但这是可以完成的。而在GaN技术的帮助下,5G将在不知不觉中掌握在数十亿人的手中。
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