大型晶圆厂的竞争对手台积电和三星代工厂之间的工艺节点战又掀起新的涟漪。业界传出台积电在 6 月将其 3 纳米制程研发转为 1.4 纳米制程的消息,很可能引发台湾领先的纯晶圆厂与三星之间的另一轮制程节点对决。然而,目前尚不清楚这种雄心勃勃的向 1.4 纳米工艺几何结构的转换将如何实际工作。
图 1台积电多年来一直保持其在纳米制造领域的领先地位
在过去的几年里,这两家代工厂商一直在竞相开发亚 10 纳米制造工艺。到目前为止,开发最小节点的公告来自三星,该公司公布了 2025 年生产 2 纳米工艺芯片的计划。
这家韩国大型晶圆厂目前正忙于在其新的 3 纳米工艺节点上批量生产芯片,该工艺节点基于下一代晶体管结构,称为全环栅极 (GAA)。GAA 制造技术将大量 MOS 晶体管集成在一个小得多的芯片中。三星将其称为多桥通道场效应晶体管 (MBCFET)。
图2三星于 2017 年进入代工业务
在这里,值得一提的是英特尔,它在亚 10 纳米工艺节点的晶圆厂竞赛中遥遥领先。虽然英特尔目前在较小的工艺节点上苦苦挣扎,但它计划通过在 2024 年下半年量产 1.8 纳米芯片来赶上 2 纳米以下工艺节点领域。
还值得注意的是,虽然台积电和三星因其在创建亚 10 纳米工艺节点方面的作用而被认为是大型晶圆厂游戏中的主要参与者,但台积电在实际市场份额方面却居高不下。根据台湾市场研究机构 TrendForce 的数据,台积电在 2021 年第三季度的市场份额达到 52.1%,远超三星所占据的 18.3%。
尽管如此,随着半导体行业向更小的工艺节点迁移,太多的风险仍然存在,台积电的负责人们知道这一点。
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