三菱电机在具有经典封装尺寸的碳化硅功率器件中进行缩放。

三菱推出全新碳化硅 (SiC) 功率模块 FMF400DY-24B，采用行业标准封装尺寸的全新设计。

三菱电机美国公司最近推出了一款新型碳化硅 (SiC) 功率模块 FMF400DY-24B，其中包括一个反并联、低 Vf、零恢复损耗的SiC SBD（肖特基势垒二极管）。该模块采用行业标准封装尺寸 (62mm x 108mm) 的新设计，适用于医疗电源和一般工业应用。

400A、1200V双碳化硅 MOSFET 模块专为 Vgs(on)=15V 设计，与标准 IGBT 栅极驱动器兼容，并可整合到现有机械布局中，以便从 Si IGBT 技术轻松升级。

该模块采用三菱电机的第二代 SiC MOSFET 芯片技术，非常适合需要高开关频率的应用。与同等额定的 Si IGBT 相比，SiC 模块可减少约 70% 的功率损耗。

“这个新模块采用经典封装，内部采用最新技术，具有卓越的功能和灵活性，”三菱电机美国功率设备集团高级产品经理 Adam Falcsik 说。“FMF400DY-24B 增加了三菱电机不断增长的 SiC 产品阵容。”

除了更高的效率之外，该模块还符合电气和电子设备中限制使用某些有害物质 (RoHS) 指令 2011/65/EU 和 (EU) 2015/863，以满足关键的环境法规。该模块通过为更智能和更可持续的社会做出贡献，进一步推进了三菱电机的核心技术愿景。

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