晶体管分为哪几类？

多栅极场效应晶体管和鳍场效应晶体管

鳍式场效应晶体管 (FinFET) 是一种多栅极器件，一种 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），构建在基板上，栅极位于通道的两个、三个或四个侧面或环绕沟道，形成双栅甚至多栅结构。

FiNFET

FinFET 代表鳍形场效应晶体管，鳍场效应晶体管是一种 3D 晶体管架构，它使用从源极到漏极的凸起通道（“鳍”）。FinFET 在小于 20nm 的技术节点上取代了 CMOS。例如，英特尔的三栅极晶体管是一种 FinFET。与体平面工艺相比，FinFET 提供了许多优点和几个关键缺点。优点包括增加了级联共栅等电路的电压裕量、降低了栅极电阻，这有助于控制闪烁噪声，以及改进的匹配、更高的电流驱动和更高的增益。作 为晶体管，它是放大器和开关。其应用包括家用电脑、笔记本电脑、平板电脑、智能手机、可穿戴设备、高端网络、汽车等。

GAAFET

全栅(GAA) FET，缩写为GAAFET ，是一种改进的晶体管结构，在概念上与 FinFET 相似，只是栅极材料在所有侧面都围绕沟道区。根据设计，全栅 FET 可以有两个或四个有效栅极。

双栅晶体管和三栅晶体管

       双栅极 MOSFET 是一种具有两个栅极的 MOSFET - 它们可用于在漏极和栅极之间提供额外的隔离，并用作射频应用的混频器。

三栅晶体管因栅极有三边而得名。传统的“平面”二维平面栅极被一个非常薄的三维硅鳍取代，该鳍从硅衬底垂直上升。

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